展品介紹
自旋霍爾磁性記憶體SOT-MRAM晶圓片 2022 本院典藏 圖版 工研院以低功耗高能效系統應用產品為目標，2022年開發下世代記憶體技術「第三代磁性記憶體（SOT MRAM）」，以自有專利元件結構與製程，打造磁性記憶體驗證平臺與生態系，並針對SOT MRAM量產會遇到的低電流需求以及高製程可行性，提出多項專利申請。同時與臺大、清大、交大多位教授合作，引進學界在磁性材料之厚實基礎學理，加速磁性記憶體領域發展。