展品介紹
第三類半導體──射頻矽基氮化鎵晶圓片 2017 本院典藏 圖版 為了因應5G時代下，通訊基地臺對於高頻寬與高功率的需求，兼具功率與頻寬的氮化鎵功率放大器成為熱門的選擇，有別於一般的成本極高GaN/SiC功率放大器，低成本的GaN/Si功率放大器可降低系統商佈建基站的成本。為了更一進步降低成本， 工研院投入8吋 RF GaN/Si技術的開發，並選用與8吋製程相容的725um矽晶圓作為基板，在克服磊晶與製程各項應力帶來的破片議題後，於2017年完成國內第一片8吋RF GaN/Si晶片製作。